简介： 公开了一种在半导体或集成电路衬底上的介电薄膜及其制造方法,其中,所述介电薄膜具有基本由无机基团和有机基团构成的骨架结构和结合在所述骨架结构上的有机侧基,形成一种无机和有机材料的复合材料,从而提供了具有小于4.0的介电常数并表现出在氮气中在400℃失重小于每小时2%的所述薄膜。所述介电薄膜通过等离子体CVD法沉积在位于支架(16)上的衬底(14)上,所述支架通过射频电源(18)偏置。通过气体进口(26)或(28)把有机硅前体引入到沉积室(11)中。