简介： 本发明属于材料核工业用材料技术领域，尤其涉及一种芯片抗辐照封装材料及抗辐照封装工艺，所述芯片抗辐照封装材料为在塑封料中掺杂宽禁带半导体颗粒，宽禁带半导体颗粒的重量占比在10％‑75％之间。所述芯片抗辐照封装工艺为首先在铜基板背面生长一层抗辐照层，在铜基板正面焊接芯片，同时将芯片和铜基板的引脚键合；然后称量塑封料和掺杂颗粒，将塑封料和掺杂颗粒置入预设好搅拌温度的模具中进行搅拌均匀，待搅拌时间结束后，得到塑封料复合材料；最后将搅拌均匀后的塑封料复合材料进行注塑压封，并将塑封后的芯片进行引脚电镀和去除毛刺与飞边。本发明提升了芯片整体的抗辐照性能和在太空环境下的可靠性，同时提升了芯片器件背部的抗辐照能力。