简介： 本发明涉及一种纳米半导体异质结SnO₂@M(M＝Ag、Au、Pt)及其制备方法、应用，包括：将纳米材料SnO₂分散于含有M(M＝Ag、Au、Pt)离子或化合物的盐的溶液中，当SnO₂表面充分吸附M(M＝Ag、Au、Pt)离子或化合物后，离心分离，将离心后的化合物用去离子水漂洗2‑3次；将漂洗后的化合物分散于一定浓度的还原性溶液(NaBH₄、VC)中，充分反应然后再离心分离；将所得产物用去离子水漂洗数次，烘干，即得SnO₂@M(M＝Ag、Au、Pt)纳米半导体复合材料。该方法制备成本低、操作简单容易、耗时少、效率高、稳定性好、环境友好，重复性好、易于普适性和规模化生产。本发明制备的半导体复合材料SnO₂@M(M＝Ag、Au、Pt)在太阳能电池、透明电极材料、光催化、气敏传感器等领域中有很好的应用前景。