简介： 本发明公开了一种石墨烯/聚吡咯电磁屏蔽膜及其制备方法。该石墨烯/聚吡咯电磁屏蔽膜，由以下方法制备而成：将吡咯溶液加入氧化石墨烯分散液中，升温至90～95℃反应8～24h，得混合物；其中，吡咯与氧化石墨烯的质量比为95:5～70:30；上述反应完成后，冷却至室温，加入三氯化铁，反应4～8h，抽滤，洗涤，干燥，即得。本发明提供的石墨烯/聚吡咯电磁屏蔽膜，吡咯的聚合分两步完成，首先以吡咯和氧化石墨烯的反应实现了氧化石墨烯的还原和吡咯的聚合，随后加入三氯化铁继续反应，抽滤，使复合材料具有“brick?and?mortar”结构，石墨烯片层在基体中高度有序，均匀分散，实现导电性能的大幅提高。