简介： 本申请案涉及用于半导体装置组合件的半导体裸片边缘保护和相关联系统和方法。公开了具有受保护边缘的半导体裸片和用于产生所述半导体裸片的方法。此外，所公开方法提供在不使用切割技术的情况下使所述半导体裸片分离。在一个实施例中，在包含半导体裸片的衬底的前侧上形成沟槽。个别沟槽对应于所述衬底的划线，其中每一沟槽具有大于所述半导体裸片的最终厚度的深度。可在所述沟槽的侧壁上形成复合材料层以保护所述半导体裸片的边缘。所述复合材料层包含将所述半导体裸片屏蔽于电磁干扰的金属层。随后，可从后侧薄化所述衬底以从所述衬底单分个别半导体裸片。