简介： 本发明实施例提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包含一基板以及位于基板上的晶种层，基板包含基材和复合材料层密封(encapsulate)基材。上述半导体结构亦包含位于晶种层上的外延层。上述半导体结构还包含位于外延层上的半导体元件，以及位于外延层上且覆盖半导体元件的层间介电层。上述半导体结构更包含一贯孔结构，至少穿过基板的复合材料层且接触基材，提升半导体元件的电性表现。