简介： 一种硅片转移装置、转移托环、半导体工艺反应设备，其中硅片转移装置包括：圆形基座，所述圆形基座包括第一基盘和第二基盘，所述第一基盘比第二基盘小，且以圆心重合的方式重叠于第二基盘上，所述第一基盘的边缘处设置有向外开口的卡槽；转移托环，所述转移托环包括环状结构，及自环状结构向内延伸、并与所述卡槽相对应的至少两个支撑柱；转移臂，所述转移臂与所述转移托环连接；其中，所述转移托环的材质为耐高温石英、超强C-C复合材料中的一种，或者为陶瓷，陶瓷表面覆盖有钛、镍合金中的任一种材料。所述半导体工艺反应设备具有所述转移托环。本发明提供的转移托环耐腐蚀、耐高温，能够在Al刻蚀后进行的去胶工艺过程中长期使用不变形。