简介： 本公开是高阻薄膜制备方法及高阻薄膜。该方法包括：将预处理后的微通道板放置于原子层沉积设备进行初处理；在初处理后的所述微通道板上进行导电层沉积；在所述导电层上制备复合叠层结构，所述复合叠层结构包括i个循环结构，每个所述循环结构包括n个循环的高阻相和m个循环的低阻相；在所述复合叠层结构上沉积二次电子发射层；对沉积了所述二次电子发射层的所述微通道板进行结晶处理。其中，通过ALD制备出特定比例的高阻系材料与低阻系材料的复合材料，通过调控复合材料中导电相的循环比例，从而可以获得电阻可控的MCP用高阻薄膜。