简介:
一种复合材料,包括含有铜的层,以及在铜层上的电沉积的CoWP膜。CoWP膜含有从11原子百分比到25原子百分比的磷,厚度从5nm到200nm。本发明还涉及一种形成互连结构的方法,包括:在介质材料中提供沟槽或过孔和在沟槽或过孔中的含有铜的导电金属;以及通过电沉积在铜层上形成CoWP膜。CoWP膜含有从10原子百分比到25原子百分比的磷,厚度从5nm到200nm。本发明还涉及互连结构,包括:与金属层接触的介质层;在金属层上电沉积的CoWP膜;以及在CoWP膜上的铜层。
一种
复合材料,包括含有
铜的层,以及在铜层上的电沉积的CoWP膜。CoWP膜含有从11原子百分比到25原子百分比的磷,厚度从5nm到200nm。本发明还涉及一种形成互连结构的方法,包括:在介质材料中提供沟槽或过孔和在沟槽或过孔中的含有铜的导电金属;以及通过电沉积在铜层上形成CoWP膜。CoWP膜含有从10原子百分比到25原子百分比的磷,厚度从5nm到200nm。本发明还涉及互连结构,包括:与金属层接触的介质层;在金属层上电沉积的CoWP膜;以及在CoWP膜上的铜层。