简介:
本发明公开了一种用于气敏传感器的被修饰SnO2纳米材料,制备方法是:以无水四氯化锡为原料,去离子水和N, N‑二甲基甲酰胺为溶剂,与辅助剂预混后将溶液升温,反应得到SnO2纳米材料,将SnO2纳米材料与尿素混合均匀后热处理,制得g‑C3N4修饰的SnO2纳米材料。该方法的特点在于实现了g‑C3N4与SnO2纳米材料的原位复合,在保持SnO2结构完整性的同时实现g‑C3N4的表面修饰,利用纳米材料比表面积大和复合材料电子传输快的诸多优点,实现了高灵敏度气敏材料的构建。本发明制备的纳米材料可极大提升SnO2气敏材料的灵敏度。具有制备工艺简单、成本低的特点,其产品性能稳定,气体灵敏度高。
本发明公开了一种用于气敏
传感器的被修饰SnO2
纳米材料,制备方法是:以无水四氯化
锡为原料,去离子水和N, N‑二甲基甲酰胺为溶剂,与辅助剂预混后将溶液升温,反应得到SnO2纳米材料,将SnO2纳米材料与尿素混合均匀后热处理,制得g‑C3N4修饰的SnO2纳米材料。该方法的特点在于实现了g‑C3N4与SnO2纳米材料的原位复合,在保持SnO2结构完整性的同时实现g‑C3N4的表面修饰,利用纳米材料比表面积大和
复合材料电子传输快的诸多优点,实现了高灵敏度气敏材料的构建。本发明制备的纳米材料可极大提升SnO2气敏材料的灵敏度。具有制备工艺简单、成本低的特点,其产品性能稳定,气体灵敏度高。