简介： 本发明涉及一种超薄碳化硅材料的制备方法，将硅源与碳源相距0-100cm放置于反应炉管内；以1℃/min-300℃/min的速率升温至600℃－2300℃，反应炉管抽至真空度为10-5-105Pa，在保护气氛下反应1-2880min；然后以1℃/min-500℃/min的速率冷却至室温，得到超薄碳化硅材料。本发明制备工艺简单，制得的超薄碳化硅（5纳米厚度以下）是一种具有宽禁带并且能够稳定存在的二维材料，它的诞生克服了石墨烯没有禁带和单层二硫化钼不能稳定存在的缺点。可广泛用于量子光源、光电、半导体原型器件、微电子电路、射频器件、集成电路、光催化、海水淡化、纳米能源、复合材料等技术领域。