简介:
通过在薄膜元件3上设置保护层, 可使上述薄膜 元件3免受铣削加工的影响, 因此可减小元件产生的凹陷。另外 当通过Al2O3与TiC构成的复合材料形成滑动件的, 很容易对铣削的表面粗糙度进行调节。当相对面5中的中心线平均粗糙度设定为Rah1, 而磁盘中心线平均粗糙度设定为Rad时, 则满足下述关系 : 6nm≤Rah1+Rad≤19nm, 此时可避免吸附状态, 可降低启动扭矩。
通过在薄膜元件3上设置保护层, 可使上述薄膜 元件3免受铣削加工的影响, 因此可减小元件产生的凹陷。另外 当通过Al2O3与TiC构成的
复合材料形成滑动件的, 很容易对铣削的表面粗糙度进行调节。当相对面5中的中心线平均粗糙度设定为Rah1, 而磁盘中心线平均粗糙度设定为Rad时, 则满足下述关系 : 6nm≤Rah1+Rad≤19nm, 此时可避免吸附状态, 可降低启动扭矩。