简介： 本发明涉及用于定向凝固半导体级多晶硅锭料的方法,该方法通过在由氮化硅制成的或由碳化硅和氮化硅复合材料制成的坩埚中使半导体级硅锭料结晶,还任选包括将进料硅材料熔化,从而改进对凝固过程的控制以及使锭料中氧和碳杂质的含量减少,其中将坩埚底部的壁厚加工成特定尺寸,使得穿过底部的热阻降至至少与穿过支撑物的热阻相同或比其更低的水平,该支撑物在下面承载坩埚。本发明还涉及由氮化硅或碳化硅和氮化硅的复合材料制成的坩埚,其中将坩埚底部的厚度加工成特定尺寸,使得穿过底部的热阻降至至少与穿过支撑物的热阻相同或比其更低的水平,该支撑物在下面承载坩埚。