简介:
本发明公开一种花状β‑Bi2O3@CoO异质结光催化剂及其制备方法和应用。将β‑Bi2O3分散在去离子水中,搅拌20min后,加入Co(CH3COO)2·4H2O,并继续搅拌24h;然后将混合物在60℃下蒸干;所得产物在N2保护下,于350℃下煅烧2h,得花状β‑Bi2O3@CoO异质结光催化剂。本发明成功将p型半导体CoO纳米粒子负载到n型半导体三维花状β‑Bi2O3上,形成稳定的p‑n结。该复合材料具有大的比表面积,超高的可见光吸收能力,增强的电子‑空穴对分离效率,展现了优异的可见光催化性能。在可见光照射下,构建的β‑Bi2O3@CoO异质结材料对TC/CTC/OTC展现了较好的降解效果。
本发明公开一种花状β‑Bi
2O
3@CoO异质结光催化剂及其制备方法和应用。将β‑Bi
2O
3分散在去离子水中,搅拌20min后,加入Co(CH
3COO)
2·4H
2O,并继续搅拌24h;然后将混合物在60℃下蒸干;所得产物在N
2保护下,于350℃下煅烧2h,得花状β‑Bi
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3@CoO异质结光催化剂。本发明成功将p型半导体CoO纳米粒子负载到n型半导体三维花状β‑Bi
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3上,形成稳定的p‑n结。该
复合材料具有大的比表面积,超高的可见光吸收能力,增强的电子‑空穴对分离效率,展现了优异的可见光催化性能。在可见光照射下,构建的β‑Bi
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3@CoO异质结材料对TC/CTC/OTC展现了较好的降解效果。