简介： 本发明提供一种具有均匀孔洞的石墨烯膜及其制备方法，本发明所涉及的制备方法，包括：步骤1.将较高熔点金属作为支撑基底；步骤2.将较低熔点金属或合金放置在支撑基底上作为反应基底，在CVD反应炉中，以高于反应基底熔点且低于支撑基底熔点的温度加热，获得粘附有二氧化硅的反应基底作为生长基底；步骤3.采用CVD的方法生长超有序的二氧化硅石墨烯复合材料；步骤4.对超有序的二氧化硅石墨烯复合材料进行转移，仅将石墨烯材料转移下来，得到具有均匀孔洞的孔洞的石墨烯膜。本发明制备的石墨烯膜上具有大小均一、且分散高度均匀的孔洞，这种石墨烯膜在对孔洞大小及分布有严格要求的膜分离技术等领域中有巨大的应用潜力。