简介： 一种陶瓷?金属复合基板制备工艺，涉及电子封装领域。该复合材料基板由陶瓷片、金属粘结层和金属基板组成，其特征在于所述的制备工艺为，首先在陶瓷片和金属片的一面分别制备出带一定间距和尺寸的纳米棒阵列结构，然后向纳米棒表面沉积或化学镀低熔点金属或合金，最后将两个带纳米棒的表面在低温下叠合压紧，纳米棒与纳米棒在压力的作用下，相互交错插入，纳米棒表面低熔点金属相互渗透扩散形成熔化状态的共晶合金熔体，随后在室温下固化形成结构致密结合牢固的金属粘接层。本发明制备的陶瓷?金属复合基板不仅导热性能、绝缘性能好，与芯片的热匹配性能优良，而且可实现陶瓷与金属在低温甚至常温下直接粘合，粘接强度高，制备工艺简单，适合大批量生产。