简介： 本发明公开了一种CuInSe2纳米材料及其制备方法与应用。该方法,包括下述步骤:1)将含铜化合物、含硒化合物及油胺于反应装置a中混匀,将含铟化合物及油胺于反应装置b中混匀,将装置a和装置b分两步加热升温,同时用惰性气体排除装置a和装置b中的氧气和水;2)将装置b冷却至60-160℃,将装置a继续升温至130-280℃后,将装置b中的含铟化合物及油胺加入到装置a中进行反应,反应完毕用有机溶剂洗涤,得到所述CuInSe2纳米材料。本发明利用常规的反应物可制备出非常均匀的CuInSe2纳米材料,而且利用制备的CuInSe2纳米材料和P3HT制备的复合材料表现出优异的光电性能。