无压浸渗法制备SiC/Al电子封装材料的工艺
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无压浸渗法制备SiC/Al电子封装材料的工艺
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简介: 本发明涉及一种无压浸渗法制备SiC/Al电子封装材料的工艺,按质量配比在6~9:0.5~2:0.5~2范围内称取粒径分别为140-170μm、15-70μm、14-17μm的碳化硅颗粒,加入粘结剂、增塑剂、润滑剂和溶剂混匀,压制成型后预热处理并烧结,然后在Al-Mg-Si合金熔体中浸渗。采用三种粒径制备的三颗粒SiC/Al复合材料的热物理性能和力学性能整体上比双颗粒SiC/Al复合材料好,热膨胀系数在(7.92-9.71)×10-6K-1之间变化、热导率在(140-159)W/mK之间变化和抗弯强度300-337MPa之间变化。
本发明涉及一种无压浸渗法制备SiC/Al电子封装材料的工艺,按质量配比在6~9:0.5~2:0.5~2范围内称取粒径分别为140-170μm、15-70μm、14-17μm的碳化硅颗粒,加入粘结剂、增塑剂、润滑剂和溶剂混匀,压制成型后预热处理并烧结,然后在Al-Mg-Si合金熔体中浸渗。采用三种粒径制备的三颗粒SiC/Al复合材料的热物理性能和力学性能整体上比双颗粒SiC/Al复合材料好,热膨胀系数在(7.92-9.71)×10-6K-1之间变化、热导率在(140-159)W/mK之间变化和抗弯强度300-337MPa之间变化。
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标签:复合材料
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