简介:
本发明涉及超级电容器电极材料技术领域,且公开了一种锡氧化物‑改性g‑C3N4的超级电容器电极材料,包括以下配方原料及组分:磺化聚苯乙烯纳米微球、SnCl2、g‑C3N4‑石墨烯复合材料、柠檬酸钠。该一种锡氧化物‑改性g‑C3N4的超级电容器电极材料,g‑C3N4成多孔蜂窝状,具有发达的比表面积和孔隙结构,提供了更多的反应活性位点,纳米SnO2均匀地分散和负载到g‑C3N4‑石墨烯复合材料比表面和孔隙中,降低了纳米SnO2团聚和堆积的现象,纳米SnO2空心微球和g‑C3N4之间产生异质界面结构,可以减少SnO2的体积膨胀现象,通过高温热还原法,使一部分纳米SnO2还原成SnO,两者之间形成PN异质界面,产生内建电场,加速了电荷的转移和传输,增强了电极材料的导电性能。
本发明涉及超级电容器电极材料技术领域,且公开了一种
锡氧化物‑改性g‑C
3N
4的超级电容器电极材料,包括以下配方原料及组分:磺化聚苯乙烯纳米微球、SnCl
2、g‑C
3N
4‑
石墨烯复合材料、柠檬酸钠。该一种锡氧化物‑改性g‑C
3N
4的超级电容器电极材料,g‑C
3N
4成多孔蜂窝状,具有发达的比表面积和孔隙结构,提供了更多的反应活性位点,纳米SnO
2均匀地分散和负载到g‑C
3N
4‑石墨烯复合材料比表面和孔隙中,降低了纳米SnO
2团聚和堆积的现象,纳米SnO
2空心微球和g‑C
3N
4之间产生异质界面结构,可以减少SnO
2的体积膨胀现象,通过高温热还原法,使一部分纳米SnO
2还原成SnO,两者之间形成PN异质界面,产生内建电场,加速了电荷的转移和传输,增强了电极材料的导电性能。