简介： 本发明是对封装用钨铜复合材料制备方法的改进,其特征是先压制为产品最终型状尺寸钨坯块,烧结成骨架,熔渗铜后经化学去除表面渗出铜。相对于现有技术,由于熔渗铜后革除了机械加工去铜方法,采用化学蚀铜工艺去铜,钨坯块成型尺寸可以是产品最终所需尺寸,不仅省略了效率低下的机械精加工去铜工艺,大大提高了生产效率,生产效率提高30-70%,还可以大大减少坯块加工至最终尺寸价格昂贵的钨耗量,钨耗量节约10-80%,是一种全新制备钨铜复合电子封装材料新方法。具有单位时间生产能力大,生产效率高,加工成本占比小,材料利用率和最终成品率高,特别适合批量生产,既能达到节省成型钨材料和加工成本,又所得产品性能好,能达到熔渗法所得产品导热率和气密性性能,热导率:180-200W.M/K。