简介： 本发明公开了一种g‑C₃N₄/rGO/ZnS光催化剂的制备及在光电化学阴极保护方面的应用，其中，一种g‑C₃N₄/rGO/ZnS三元复合光催化剂的制备方法，其包括，将氧化石墨烯、锌盐溶解，超声分散；加入硫源，搅拌后高温反应，清洗后干燥，得rGO/ZnS复合材料；将g‑C₃N₄和所述rGO/ZnS复合材料溶解，搅拌后高温反应，得g‑C₃N₄/rGO/ZnS三元复合光催化剂；一种g‑C₃N₄/rGO/ZnS光电极的制备方法，其包括：将g‑C₃N₄/rGO/ZnS、粘结剂、溶剂混合，超声后均匀涂覆于经预处理的基材表面，自然风干后加热干燥。本发明采用硫化锌、氧化石墨烯对氮化碳进行半导体复合改性，能够有效调整g‑C₃N₄的能带结构，提升其光生空穴氧化能力、光生电子迁移能力以及增加光电化学反应活性位点。