简介： 本发明公开了一种ZnO@SnO2树枝状异质结构纳米材料及其生长方法。其中ZnO@SnO2树枝状异质结构纳米材料的“树干”为ZnO纳米线，SnO2一部分以覆盖的方式包裹在ZnO纳米线表面，另一部分以“树枝”的形式从ZnO纳米线“树干”表面生长出来。本发明采用CVD方法，使用专用的水平管式炉设备，简单易行，所用原料价廉，工艺简明而易于操作，可实现大规模工业化生产。且制备所得的ZnO@SnO2树枝状异质结构纳米材料所形成的多级结构，产生了新的纳米形貌，是一种新的异质结构，并导致新的界面，其较大的比表面积增加了反应的活性位点，从而可提升该纳米复合材料的反应特性，拓展其在能源存储、催化和传感领域的应用前景。