简介： 本发明公开了一种高暴露(001)晶面TiO2/g‑C3N4复合光催化剂的制备方法，包括以下步骤：(1)将水溶性的钛源、氟源、富含N的有机化合物按照摩尔比1 : (0.3～30) : (0.1～10)混合后配成水溶液，并转移到水热反应釜中，反应制得复合材料；(2)将上述复合材料经过滤洗涤后，在马弗炉中煅烧制得高暴露(001)晶面TiO2/g‑C3N4复合光催化剂。本发明采用水热反应自组装，一步制备出高暴露(001)晶面TiO2/g‑C3N4复合光催化剂，其制备工艺简单，生产成本大幅降低，制得的TiO2/g‑C3N4复合光催化剂材料界面更加均匀；TiO2/g‑C3N4复合光催化剂在可见光下降解有机污染物的速率比纯g‑C3N4提高了近一个数量级，表现出更强的光催化性能和更低的光生电荷复合效率。