简介： 本发明公开了一种MoS2/CdS薄膜电极的制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤：采用恒压电流的方法制得硫化镉薄膜；然后在惰性气体保护条件下将制备的硫化镉薄膜于400℃～500℃煅烧30～60分钟，使其晶化成CdS薄膜电极；采用恒压电流的方法制得MoS2/CdS复合材料薄膜；然后在惰性气体保护条件下将制备的复合材料薄膜于500℃～550℃煅烧50‑70分钟，使其晶化成MoS2/CdS纳米薄膜电极。本发明的电极将MoS2电沉积到CdS薄膜电极上，纳米MoS2均匀分布在CdS薄膜表层，增强了CdS的电子传导能力，拓宽其在可见光区的吸收范围，提高其光电转换效率。