简介： 本发明公开了一种相变存储器(PCM)单元，其可以包括PCM层。第一电极和第二电极设置在所述PCM层的相对侧上。第一电极、第二电极或两者包括设置在上阻挡层和下阻挡层之间的金属陶瓷复合材料层，并且其中，所述金属陶瓷复合材料层提供具有10mOhm‑cm到1000mOhm‑cm的电阻率的对应电极。