简介： 本发明提供了一种快速制备金刚石-碳化硅电子封装材料的方法,其特征是按重量百分比,将10～15%的粘接剂,5～20%的石墨,20～40%的硅粉,30～60%的金刚石湿混16～24h。然后在100～200℃和10～50MPa压力下温压成形获得复合材料毛坯。在氩气气氛中1000～1100℃烧结16～24h,冷却后得到具有一定强度和孔隙度的金刚石/硅/碳多孔基体。将所制备的金刚石/硅/碳多孔基体置于石墨坩埚中,用液相渗透的渗料填埋后将坩埚整体置于高真空烧结炉中进行真空液相渗透0.5-1h,渗透温度1450～1550℃,真空度-0.08～-0.01MPa。冷却后即获得致密的金刚石-碳化硅电子封装材料。