化学气相共沉积法制备HfC-SiC复相梯度涂层的方法
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化学气相共沉积法制备HfC-SiC复相梯度涂层的方法
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简介: 本发明涉及一种化学气相共沉积法制备HfC‑SiC复相梯度涂层的方法,采用化学气相共沉积技术在C/C复合材料表面沉积HfC‑SiC复相梯度涂层。本发明方法制备的HfC‑SiC复相梯度涂层通过控制涂层中的组织成分,实现了热膨胀系数的梯度分布,从根本上解决了涂层与基体之间的热膨胀系数不匹配。所制备的涂层与基体结合良好,可实现组织成分的控制,并且化学气相共沉积工艺制备周期短、工艺过程简单,成本低。通过本发明在C/C复合材料表面制备的HfC‑SiC复相梯度涂层表面无裂纹,涂层与基体结合强度良好。
本发明涉及一种化学气相共沉积法制备HfC‑SiC复相梯度涂层的方法,采用化学气相共沉积技术在C/C复合材料表面沉积HfC‑SiC复相梯度涂层。本发明方法制备的HfC‑SiC复相梯度涂层通过控制涂层中的组织成分,实现了热膨胀系数的梯度分布,从根本上解决了涂层与基体之间的热膨胀系数不匹配。所制备的涂层与基体结合良好,可实现组织成分的控制,并且化学气相共沉积工艺制备周期短、工艺过程简单,成本低。通过本发明在C/C复合材料表面制备的HfC‑SiC复相梯度涂层表面无裂纹,涂层与基体结合强度良好。
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