简介： 本发明涉及单相纳米层状陶瓷粉体及制备方法，具体为一种原位反应制备纳米层状Ta2AlC陶瓷粉体及其制备方法。所述纳米层状Ta2AlC陶瓷属六方晶系，空间群为P63/mmc，单胞晶格常数a为3.08，c为13.85。它是优良的热电导体，可以作为金属基复合材料的增强相，也可以作为陶瓷基复合材料的弱界面相提高韧性，具有实际应用价值。单相Ta2AlC粉体具体制备方法是：首先，以钽粉、铝粉、石墨粉为原料，干燥条件下在树脂罐中球磨5～30小时，过筛后装入石墨模具中冷压成型(5～20MPa)，在真空或通有氩气的炉内热处理，升温速率为5～20℃/分钟，在1500～1650℃处理时间为20～120分钟，冷却后的样品经除去表面杂质、破碎和过筛，获得粉体。本发明制备的Ta2AlC陶瓷粉体具有纯度高、颗粒度小和均匀性好的特点。