改性Ta3N5-Cu2O异质结负载Ti3C2光催化产氢材料及其制法
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改性Ta3N5-Cu2O异质结负载Ti3C2光催化产氢材料及其制法
来源:北方有色网
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简介: 本发明涉及光催化产氢技术领域,且公开了一种改性Ta3N5‑Cu2O异质结负载Ti3C2光催化产氢材料,包括以下配方原料:纳米Ti3C2‑Cu2O复合材料、Sc(NO3)3、TaCl5、[Co(NH3)6]Cl3。该一种改性Ta3N5‑Cu2O异质结负载Ti3C2光催化产氢材料,Sc3+掺杂降低了Ta3N5的结晶度和晶体缺陷,缩短了光生电子的迁移路径,促进了光生电子的迁移,Sc3+取代部分Ta的晶格,产生晶格氧缺陷,增强Ta3N5的导电性,提高了光生电子的传输速率,Co3+在Ta3N5表面修饰形成CoxN活性晶面,增强了Ta3N5对可将光吸收效率,Ta3N5和Cu2O形成p‑n异质结,产生内建电场,降低了光生电子‑空穴的复合率,Ti3C2Tx具有优异的导电性,为光生电子提供传输通道,Ti3C2Tx表面含有大量的羟基等含氧基团,增强了光催化复合材料在水中的分散性和相容性。
本发明涉及光催化产氢技术领域,且公开了一种改性Ta3N5‑Cu2O异质结负载Ti3C2光催化产氢材料,包括以下配方原料:纳米Ti3C2‑Cu2O复合材料、Sc(NO3)3、TaCl5、[Co(NH3)6]Cl3。该一种改性Ta3N5‑Cu2O异质结负载Ti3C2光催化产氢材料,Sc3+掺杂降低了Ta3N5的结晶度和晶体缺陷,缩短了光生电子的迁移路径,促进了光生电子的迁移,Sc3+取代部分Ta的晶格,产生晶格氧缺陷,增强Ta3N5的导电性,提高了光生电子的传输速率,Co3+在Ta3N5表面修饰形成CoxN活性晶面,增强了Ta3N5对可将光吸收效率,Ta3N5和Cu2O形成p‑n异质结,产生内建电场,降低了光生电子‑空穴的复合率,Ti3C2Tx具有优异的导电性,为光生电子提供传输通道,Ti3C2Tx表面含有大量的羟基等含氧基团,增强了光催化复合材料在水中的分散性和相容性。
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标签:复合材料
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