简介： 本发明提供一种应用TSV技术的电子器件及其制作方法，涉及微电子技术领域。本发明提供的应用TSV技术的电子器件包括至少一个半导体衬底，所述半导体衬底上设置有至少一个连接孔，连接孔贯穿半导体衬底，连接孔内填充有导电体，导电体的一端用于与第一电子元件电连接，导电体的另一端用于与第二电子元件电连接，导电体具有第二熔点，导电体由导电复合材料在室温下自身内部发生反应后形成，导电复合材料为由具有第一熔点的低熔点金属和熔点在500℃以上的高熔点粉末部分合金化后形成的混合物，第二熔点高于所述第一熔点，且第一熔点在300℃以下。本发明的技术方案能够简单快速地应用TSV技术实现不同电子元件的电连接。