简介： 本发明公开了一种多层钛酸钡与多层铁酸钴磁电复合薄膜的制备与转移方法，主要解决现有1-3结构的复合材料不能同时减小衬底钳制效应和漏电的问题。其实现步骤是：先在蓝宝石衬底沉积一层氧化镁薄膜，并在其上交错沉积多层铁酸钴薄膜和多层钛酸钡薄膜；再在最后一层钛酸钡薄膜表面旋涂上聚甲基丙烯酸甲酯，用硫酸铵溶液除去单晶氧化镁薄膜，使附有聚甲基丙烯酸甲酯的磁电复合薄膜与蓝宝石衬底脱离；再将脱离蓝宝石衬底的磁电复合薄膜转移到后续所需的衬底上，得到多层铁酸钴薄膜和多层钛酸钡薄膜复合的自支撑磁电薄膜。本发明得到的多层钛酸钡和多层铁酸钴复合薄膜表面耦合大，增强了磁电特性，减小了衬底钳制和漏电问题，可用于磁电传感器的制备。