简介： 本发明提供的一种低功耗高稳定性的相变存储单元,包括基底层、相变材料区、电极以及将所述相变材料区全部包裹的介质材料包覆层,且所述介质材料包覆层的材料为不与所述相变材料发生反应的材料,相变材料区的相变材料可为纯相变材料,也可为相变材料和介质材料构成的掺杂材料,或者为相变材料和介质材料构成的复合材料等。本发明还提供了制备低功耗高稳定性的相变存储单元的方法,所形成的相变存储单元可以有效抑制相变材料中各元素的扩散和挥发,有利于材料性能的稳定,同时抑制了相变材料晶粒的长大,提升了材料的电阻率,降低了器件功耗。