简介： 本发明公开了一种可在低温下烧结的高频介电 陶瓷材料，是在Bi基焦绿石陶瓷的基础上，从材料科学的角 度出发，依据焦绿石结晶化学原理，通过适量的离子取代而形 成的以焦绿石为主晶相的介电陶瓷复合材料体系。该低温烧结 高频介电陶瓷材料结构表达式为：(Bi3xZn2－3x)(Znx－y/3Nb2－x－2y/3May)O7和(Bi3xZn2－3x)(ZnxNb2－x－yMby)O7，其中Ma＝Sn4+、Zr4+，Mb＝Sb5+、Ta5+、Mo5+，0.45≤x≤0.67，0≤y≤1.5。本发明的高性能低温烧结高频电介质陶瓷具有以下特点：介电常数高(ε＝25～80)，介质损耗小(tanδ＜3×10－4)，介电常数温度系数覆盖范围宽(αε＝－300ppm/℃～+60ppm/℃)，烧结温度低(840℃～1060℃)，绝缘电阻大(ρv≥1012Ω·cm)，抗电强度高(Eb≥10KV/mm)，工艺简单，并且介电常数温度系数在－55℃～125℃的范围内可以根据材料组成调节。