简介： 本发明公开了一种高致密度高纯度硅碳负极材料的制备方法，涉及复合材料制备技术领域，负极材料包括均匀致密分布的硅、碳，所述材料密度满足ρ1/ρ2≥95％，其中ρ1为实际测试密度，ρ2为理论密度。制备方法将碳素原料和硅原料进行物理气相沉积，冷却后得到高致密度高纯度硅碳负极材料，物理沉积可采用同步或交替沉积的方式进行，利用无定形碳和气相硅源，形成均匀致密的复合材料结构，该材料由亚纳米级硅均匀地分布在无定型碳中，这种致密结构能提高材料的振实，且能有效缓解充放电过程中的体积效应。同时硅颗粒为亚纳米级，其自身膨胀相对纳米硅较小，能进一步提高其循环性能。