简介： 本发明涉及一种低逾渗石墨烯/高分子电磁屏蔽材料的制备方法，复合材料主要原料按以下重量百分比构成：超高分子量聚乙烯UHMWPE94～99.7％，氧化石墨烯GONS0.3～6％。其制备工艺如下：(1)原料干燥；(2)GONS/UHMWPE导电粒子制备；(3)高温压制成型。本发明利用材料热压制备过程中的高温原位还原氧化石墨烯，避免了氧化石墨烯在化学还原过程中的团聚。使复合材料拥有更低的导电逾渗值，更高的电导率和电磁屏蔽性能，且制备过程简单，工艺易于掌握，生产成本低，容易实现大批量生产。