简介： 本发明涉及制造半导体级硅的晶锭的方法，所述半导体级硅包含太阳能级硅，还涉及用于所述方法中的可再使用的坩埚和制造所述可再使用的坩埚的方法，其中所述方法的特征在于，在由碳纤维增强的碳化硅复合材料制成的可再使用坩埚中制造所述硅晶锭，其中所述复合材料在高于400℃的温度下具有小于4×10-6K-1且在低于400℃的温度下具有小于3×10-6K-1的热膨胀系数，并在25℃至1500℃的温度下具有至少5W/mK的热导率。