简介： 本发明涉及一种SiC纳米线增韧化学气相共沉积HfC‑SiC复相涂层的制备方法，首先利用化学气相沉积技术在C/C复合材料表面制备SiC纳米线，而后利用化学气相共沉积技术沉积HfC‑SiC复相涂层，进而在C/C复合材料表面得到SiC纳米线增韧HfC‑SiC复相涂层。本发明方法制备的SiC纳米线增韧HfC‑SiC复相涂层通过控制涂层中的组织成分及各相的均匀程度，缓解了涂层与炭炭复合材料热膨胀系数的不匹配，并通过纳米线桥联拔出机制抑制裂纹产生和扩展，有效地抑制了在烧蚀过程中HfC基陶瓷涂层开裂的情况。所制备的涂层厚度均匀，组织可控，工艺制备周期短、工艺过程简单，成本低。