用振动加速沉降技术制备SiCp/A1电子封装零件的方法
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用振动加速沉降技术制备SiCp/A1电子封装零件的方法
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简介: 本发明涉及用振动加速沉降技术制备SiCp/Al电子封装零件的方法,属于电 子封装零件制备技术领域。以SiCp/Al复合材料为原料,将熔融SiCp/Al复合材 料浇注入成型模具中并保温,采用振动激励加速沉降高温SiCp/Al复合材料熔体 中的SiC颗粒到熔体下部,冷却凝固后切割掉位于铸件上部的完全由Al-Si合 金构成的部分,制备出体积分数为45~70%的SiCp/Al电子封装零件,所述零件 的材料具有高热导率、低热膨胀系数、SiC颗粒分布均匀和高致密度的特点,并 且制备过程中工艺和设备简单、制备周期短、能净终成形,有成本低、孔隙率 低和材料性能好的优点。
本发明涉及用振动加速沉降技术制备SiCp/Al电子封装零件的方法,属于电 子封装零件制备技术领域。以SiCp/Al复合材料为原料,将熔融SiCp/Al复合材 料浇注入成型模具中并保温,采用振动激励加速沉降高温SiCp/Al复合材料熔体 中的SiC颗粒到熔体下部,冷却凝固后切割掉位于铸件上部的完全由Al-Si合 金构成的部分,制备出体积分数为45~70%的SiCp/Al电子封装零件,所述零件 的材料具有高热导率、低热膨胀系数、SiC颗粒分布均匀和高致密度的特点,并 且制备过程中工艺和设备简单、制备周期短、能净终成形,有成本低、孔隙率 低和材料性能好的优点。
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标签:复合材料
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