简介： 本发明公开了一种通过制备钴酸锰/氮掺杂碳/二氧化锰核壳结构提高其充放电容量的方法，通过采用自组装和温和化学反应相结合的方法，首先合成氮掺杂碳包覆的钴酸锰八面体，再在外层生长二氧化锰片形成一种核壳结构的八面体，所述的钴酸锰/氮掺杂碳/二氧化锰复合材料以氮掺杂碳作为导电改性相、钴酸锰作为内核，层片状二氧化锰外表面生长，以此增强该复合材料的充放电可逆容量。选用硝酸钴、硝酸锰、聚乙烯吡咯烷酮和去离子水进行溶剂热反应，再进行聚苯胺包覆，高温碳化后外表面生长二氧化锰，经干燥得到钴酸锰/氮掺杂碳/二氧化锰复合材料。该法生产工艺简单、成本低、所制得的钴酸锰/氮掺杂碳/二氧化锰具有均一的八面体形貌和优良的电化学性能。