简介： 本发明提供了一种QLED器件，包括依次设置的阳极、空穴注入层、量子点发光层和阴极，且所述空穴注入层由MoO_x/PANI纳米复合材料制成，或所述空穴注入层中含有MoO_x/PANI纳米复合材料，其中，所述MoO_x/PANI纳米复合材料为聚苯胺包覆的一维MoO_x纳米材料。