简介： 本发明公开一种纳米金属氧化物及其制备方法、量子点发光二极管，其中，纳米金属氧化物的制备方法包括步骤：提供一种复合材料，所述复合材料包括PAMAM树形分子以及结合在所述PAMAM树形分子腔体内的金属离子；将所述复合材料加入到纳米金属氧化物生长反应体系中混合，得到所述纳米金属氧化物。本发明能够实现将金属离子均一地掺杂到纳米金属氧化物中，制得缺陷较少、质量较佳的纳米金属氧化物，将所述纳米金属氧化物作为量子点发光二极管的电子传输层材料，可以调节量子点发光二极管的电子迁移率，从而使其电子空穴注入速率达到平衡，进而提高其发光效率。