简介： 本发明公开一种双位闪存存储器结构及其制造方法，该存储器结构包含位于基材上的选择栅极氧化物层、容置于选择栅极氧化物层中的选择栅极，选择栅极两侧各有一组复合栅极层。各别复合栅极层包含浮置栅极氧化层、浮置栅极、复合材料层、控制栅极与间隙壁。浮置氧化硅位于基材上。浮置栅极位于浮置氧化层上。复合材料层位于浮置栅极上。控制栅极位于复合材料层上。间隙壁位于控制栅极上。