简介： 本发明提供了一种SiOx@C‑CNT‑G复合负极材料，具有多个二次颗粒，所述二次颗粒包括SiOx@C颗粒、碳纳米管和石墨烯片，所述SiOx@C颗粒为外部包覆有纳米碳层的SiOx颗粒，所述SiOx@C颗粒的纳米碳层上原位生长有碳纳米管；所述石墨烯片通过碳纳米管与所述SiOx@C颗粒桥连；SiOx在所述SiOx@C‑CNT‑G复合材料中的质量分数为60～90％。所述石墨烯复合三维结构能够为SiOx颗粒体积膨胀提供空间，同时CNT的原位生长提高了复合材料的电导率和结构稳定性，降低了材料在充放电过程中的体积膨胀，石墨烯的包覆减小了SiOx与电解液的接触面，提高了复合材料的SEI膜的稳定性。