简介： 本发明涉及一种低温还原制备高首效氧化亚硅的方法及其应用，属于储能材料技术领域，包括以下步骤：将氧化亚硅和碳源混合，于600℃‑1200℃保护气气氛中，保温处理，得到碳源包覆硅氧基复合材料；将上述碳源包覆硅氧基复合材料、镁粉和三氯化铝混合后，150℃‑500℃保护气气氛中，保温处理，获得复合材料的还原产物，经过酸洗、醇洗和水洗，干燥得到高首效氧化亚硅，本发明采用低温还原方式，一方面可以避免高温下材料晶体尺寸长大，在实现高首效的同时保证材料的循环稳定性；另一方面低温处理，可以有效保留包覆后形成的无定形碳层，同时可以有效避免反应过程中碳层扩散至材料空隙内部，无需二次包覆。