简介:
本发明提供了一种g‑C3N4/H‑S‑TiO2基纳米管阵列及其制备方法,属于纳米复合材料技术领域。具体制备方法的步骤为:在含钛金属基体上,通过阳极氧化法制备纳米管有序阵列;对所制备的纳米管有序阵列进行晶化、硫化和氢化处理,得到H‑S‑TiO2基纳米管阵列;对所制备的H‑S‑TiO2基纳米管阵列与g‑C3N4复合,得到g‑C3N4/H‑S‑TiO2基纳米管阵列。该有序纳米管阵列复合材料结构有序规整,比表面积大,量子效率高,吸收利用太阳光的波长范围明显扩展,可以显著提高光电转换效率,在太阳能电池和光催化等方面都有非常广阔的应用。如该有序纳米管阵列复合材料可作为光电极来使用,能充分发挥纳米管有序阵列的优势,从而为高性能光电极的设计、开发和应用提供思路。
本发明提供了一种g‑C3N4/H‑S‑TiO2基纳米管阵列及其制备方法,属于纳米
复合材料技术领域。具体制备方法的步骤为:在含
钛金属基体上,通过阳极氧化法制备纳米管有序阵列;对所制备的纳米管有序阵列进行晶化、硫化和氢化处理,得到H‑S‑TiO2基纳米管阵列;对所制备的H‑S‑TiO2基纳米管阵列与g‑C3N4复合,得到g‑C3N4/H‑S‑TiO2基纳米管阵列。该有序纳米管阵列复合材料结构有序规整,比表面积大,量子效率高,吸收利用太阳光的波长范围明显扩展,可以显著提高光电转换效率,在
太阳能电池和光催化等方面都有非常广阔的应用。如该有序纳米管阵列复合材料可作为光电极来使用,能充分发挥纳米管有序阵列的优势,从而为高性能光电极的设计、开发和应用提供思路。