简介： 本发明为一种发光二极管的缓冲层结构，应用于一发光二极管结构，该发光二极管结构包含依序堆迭的一P型电极、一永久基板、一结合层、一缓冲层、一反射层、一P型半导体层、一发光层、一N型半导体层与一N型电极，且本发明的该缓冲层为复合材料，且该缓冲层的复合材料为至少二种材料元素构成，且于材料边界处彼此交融，据此由于该缓冲层中的复合材料没有明显的介面分隔，因而可以消除介面效应与材料间的应力，而提升发光二极管的发光效率与制造良率。