简介： 本发明公开了一种基于GaAsN-GaAsSb材料的II型异质结隧穿场效应晶体管，主要解决现有III-V族材料制备隧穿场效应晶体管性能差的问题。其包括衬底(1)、源极(2)、沟道(3)、漏极(4)、绝缘电介质(5)和栅电极(6)。源极和漏极均采用N组分为(0,0.03]的GaAsN复合材料；沟道采用Sb组分为[0.35,0.65]的GaAsSb复合材料；在衬底上，源极、沟道、漏极自下而上竖直分布，绝缘电介质与栅电极包裹在沟道外部。本发明通过GaAsN与GaAsSb两种材料相互接触形成II型异质隧穿结使得隧穿势垒高度降低，隧穿几率和隧穿电流增大，器件整体性能提升，可用于制作大规模集成电路。