简介:
本发明提供了一种检测转基因CaMV35S启动子电极的制备方法级用途,包括:还原氧化石墨烯/金纳米复合材料RGO/Au的制备步骤;硅@碲化镉纳米复合材料Si@CdTe的制备步骤;在ITO电极上制备探针1(Probe1)的步骤;向探针1(Probe1)修饰目标DNA(t-DNA)CaMV35S启动子的步骤;向目标DNA(t-DNA)CaMV35S启动子修饰探针2(Probe2)的步骤。本发明通过rGO/Au?NPs和Si@CdTe两端双重信号放大,实现了对转基因CaMV35S启动子的灵敏检测,在0.05~100pM的浓度区间内,CaMV35S浓度与光电流呈现良好的线性关系,检出限可达0.017pM。
本发明提供了一种检测转基因CaMV35S启动子电极的制备方法级用途,包括:还原氧化
石墨烯/金纳米
复合材料RGO/Au的制备步骤;硅@碲化镉纳米复合材料Si@CdTe的制备步骤;在ITO电极上制备探针1(Probe1)的步骤;向探针1(Probe1)修饰目标DNA(t-DNA)CaMV35S启动子的步骤;向目标DNA(t-DNA)CaMV35S启动子修饰探针2(Probe2)的步骤。本发明通过rGO/Au?NPs和Si@CdTe两端双重信号放大,实现了对转基因CaMV35S启动子的灵敏检测,在0.05~100pM的浓度区间内,CaMV35S浓度与光电流呈现良好的线性关系,检出限可达0.017pM。