简介： 本发明公开了一种半导体基材构造及其加工方法,方法包括:在基材上加工一穿透孔沟槽;在该孔沟槽添加高分子复合材料;对该基材表面进行研磨或喷沙;对该基材表面进行表面被覆材料的处理。该半导体基材构造包含有基材,具有穿透孔及沟槽;其中该穿透孔及沟槽内填充有高分子材料及复合材料。本发明具有高平整度及切割不易生毛边的优点,且不易变形,增加了产品封装的良率及品质,而使用发光二极管的芯片或一般IC集成电路芯片封装时,会易于达成电子芯片所需的封装需求,而且比公知的基材构造成本低。