简介： 本发明公开了一种耐高温低热膨胀系数的铝基/PMOS基复合层状材料的制备方法，包括以下步骤：首先制得PMOS/莫来石/Si3N4杂化材料，然后通过在Al‑Cu‑Mg‑Si合金中加入Fe、Ni或Ag、Si3N4，制得铝基复合材料，最后将制得的PMOS/莫来石/Si3N4杂化材料、铝基复合材料、PMOS/莫来石/Si3N4杂化材料复合制得层状材料，层与层之间采用粘合层材料粘结而成，制得的层状材料在200‑400℃热处理，制得铝基/PMOS基复合层状材料。该发明制得的复合层状材料力学性能好，强度大，耐高温性能优异，热膨胀系数低。